来源：科技日报近日，国防科技大学和中国科学院金属研究所联合研究团队在新型高性能二维半导体晶圆级生长和可控掺杂领域取得重要突破，有望为后摩尔时代自主可控的芯片技术提供关键材料和器件支撑。相关成果近日在线发表于国际顶级期刊《国家科学评论》。据介绍，原子级厚度的二维半导体因迁移率高、带隙可调、栅控能力强，被视为后摩尔时代芯片材料的核心候选。然而，晶格缺陷诱导的自发电子掺杂和费米能级钉扎效应，使现有二维半导体材料体系长期呈现N型材料多、P型材料少，以及N型材料性能好，P型材料性能差的结构性失衡问题。针对上述问题，研究团队建立了以液态金/钨双金属薄膜为衬底的化学气相沉积方法，实现了晶圆级、掺杂可调的单层WSi2N4（氮化钨硅）薄膜的可控生长。新的制备方法让二维材料的单晶区域尺寸达到了亚毫米级别，生长速率较已有文献报道值高出约1000倍。在晶体管性能方面，单层WSi2N4不仅空穴迁移…

新华社北京9月24日电　题：打造芯片“铁幕”？美国这一套行不通新华社记者樊宇据报道，在美国不断施压下，美国和日本接近达成限制向中国出口芯片技术的协议。美国围堵中国半导体产业已有时日，不光自己对华动作频频，还拉拢半导体产业链国家加码对华出口管制。美国的做法不仅是对出口管制措施的滥用，也是对自由贸易和国际经贸规则的严重背离。近年来，美国将芯片产业作为对华竞争的重点领域。从拉拢盟友联合围堵中国到出台《芯片和科学法案》大力补贴本土半导体厂商，从针对华为的“限芯令”到围绕先进半导体产品和技术对华出口的多项管制“补丁”，从芯片到生产芯片的设备，美国不遗余力封锁中国芯片产业发展空间。过去几个月，美国政府多次派遣官员前往日本和荷兰，围绕如何协调出口管制规则进行磋商，施压这些盟友追随美国政策。然而，在芯片产业分工高度全球化的今天，美国强行与中国“脱钩”，不仅沉重打击美国本…

【文/观察者网 杨蓉】为遏制中国半导体产业发展，美国一直在向日本等盟友施压，“协同管制”对华芯片技术出口。据英国《金融时报》9月17日援引知情人士说法称，美国和日本已接近达成相关协议。不过，日本官员强调，由于担心中方反制措施，当前谈判局面依旧“相当脆弱”。报道也提到，尽管交涉取得进展，但日本政府已经对美国施压盟友的做法“感到恼火”，拜登政府官员也意识到了这一点。报道称，美国希望能在11月大选前公布新的对华半导体出口管制措施，其中包括通过“外国直接产品规则”（FDPR）迫使非美国企业必须申请出口许可证，才能向中国市场销售有助于中国科技行业发展的芯片制造工具。根据FDPR，即使是美国境外生产的特定物项，如其开发或制造直接利用了美国特定受管控的软件或技术，则该等物项也将受到美国《出口管理条例》（EAR）管辖。这也意味着，东京电子、荷兰阿斯麦这两家美国盟国的主要半导体制造设备生…