中国团队重要突破!将为芯片技术自主可控提供关键材料

来源:科技日报近日,国防科技大学和中国科学院金属研究所联合研究团队在新型高性能二维半导体晶圆级生长和可控掺杂领域取得重要突破,有望为后摩尔时代自主可控的芯片技术提供关键材料和器件支撑。相关成果近日在线发表于国际顶级期刊《国家科学评论》。据介绍,原子级厚度的二维半导体因迁移率高、带隙可调、栅控能力强,被视为后摩尔时代芯片材料的核心候选。然而,晶格缺陷诱导的自发电子掺杂和费米能级钉扎效应,使现有二维半导体材料体系长期呈现N型材料多、P型材料少,以及N型材料性能好,P型材料性能差的结构性失衡问题。针对上述问题,研究团队建立了以液态金/钨双金属薄膜为衬底的化学气相沉积方法,实现了晶圆级、掺杂可调的单层WSi2N4(氮化钨硅)薄膜的可控生长。新的制备方法让二维材料的单晶区域尺寸达到了亚毫米级别,生长速率较已有文献报道值高出约1000倍。在晶体管性能方面,单层WSi2N4不仅空穴迁移…

安世中国最新声明,“走向独立重要一步”

【文/观察者网 柳白】安世荷兰与中国子公司的博弈仍在继续。据路透社3月9日报道,荷兰芯片制造商安世半导体(Nexperia)的中国子公司当天表示,已开始生产自主芯片。报道称,在与荷兰总部持续僵持、导致汽车制造商供应链受干扰的背景下,此举是安世中国进一步脱离荷兰母公司,走向独立的重要一步。根据安世中国发布的声明,该公司已开始生产多种与荷兰安世原有产品类型相同的芯片,但采用的是12英寸晶圆制造,而荷兰母公司目前在欧洲地区不具备12英寸晶圆制造能力。声明提到,其基于自主研发的“12英寸平台”创新实践,已成功实现12英寸晶圆双极分立器件的小批量量产。此外,基于12英寸晶圆试验的全新ESD保护器件也取得成功,可为传输线路提供优化保护,有效防护静电放电(ESD)、浪涌电流及短路。适用于手机、便携式电子设备等。报道称,安世荷兰总部拒绝就此发表评论。去年9月30日,荷兰政府曾以担忧公司将业务和知识…

安世中国回应“中国区所有员工办公账号遭禁用”:大部分业务已恢复运行

3月6日,安世中国发布致客户公告函:2026年3月3日19:02起,Nexperia B.V。对中国区所有员工的办公账号进行了批量禁用,导致员工Office365、SAP系统等关键办公环境无法正常访问,对安世中国区运营造成较大影响。受此影响,部分生产流程,如“客供晶圆到厂后的SAP下单转生产”环节出现中断,已在SAP中开单并进入生产流程的订单则未受影响。目前,中国区IT与业务部门已协同启动应急预案,优先恢复关键系统与生产调度。当前,大部分业务已恢复运行,可保障基本生产运营。我们正全力降低对后续生产和交付的潜在影响。感谢您的理解与支持。责任编辑:刘德宾

特朗普又下黑手,强制“与中国有关联公司”剥离涉美芯片资产

【文/观察者网 齐倩】美国总统特朗普又一次剑指中国,在半导体领域下黑手。据彭博社和香港《南华早报》消息,当地时间1月2日,特朗普发布行政命令,再次以所谓“国家安全”为由,下令强制剥离瀚孚光电(HieFo)公司收购的与半导体相关的资产。特朗普声称,瀚孚光电公司“由一名中国公民控制”。据公司官网介绍,瀚孚光电是一家坐落于美国加利福尼亚州的光芯片制造企业。2024年5月1日,瀚孚光电完成了美国Emcore晶圆制造及光芯片相关资产的全面收购。瀚孚光电位于美国的工厂 公司官网报道称,特朗普根据美国《国防生产法》发布上述行政命令。特朗普宣称,有“可信证据”显示,瀚孚光电收购Emcore公司的数字芯片及相关晶圆设计、制造和加工业务,“可能威胁美国国家安全”。但他没有提供任何证据。白宫在一份声明中称,此行政命令禁止瀚孚光电保留对Emcore资产的任何所有权或权利,并给予该公司最多180天时间剥离这些资产…

中国首次建立纳米级角度国家一级标准物质

记者今天了解到,市场监管总局近日新批准二维铬纳米栅格标准物质、二维硅纳米栅格标准物质、一维硅纳米光栅标准物质3项国家一级标准物质,能够同时满足纳米制造产业角度和长度校准需求,为新一代信息技术、新材料、生物制造、高端装备等领域的纳米制造提供精准“标尺”。研制高精度的纳米级标准物质,是打造高准确度纳米测量传递链,提升国产纳米制造产品质量可靠性的关键。 二维铬纳米栅格标准物质突破性地采用分步沉积原子光刻技术,制备难度较大,可直接溯源到自然界量子化物理常数,角度绝对准确性在0.001°量级,相当于把一个蛋糕按扇形均分成三十六万份。二维铬纳米栅格的结构面积一般为300μm×300μm,在没有划伤或破坏的状况下,每次使用2μm×2μm,不重复使用测量区域次数可达20000次以上。可应用于晶圆级原子力显微镜、扫描电子显微镜等集成电路微纳检测设备校准;也可应用于对超…

台积电2nm工艺将继续涨价:每片晶圆超3万美元

经观汽车据报道,台积电在2nm制程节点上取得了重大突破,将首次引入Gate-all-around FETs(GAAFET)晶体管技术。N2工艺还结合了NanoFlex技术,为芯片设计人员提供了前所未有的标准元件灵活性。相较于当前的N3E工艺,N2工艺预计将在相同功率下实现10%至15%的性能提升,或在相同频率下将功耗降低25%至30%。据悉,台积电每片300mm的2nm晶圆的价格可能超过3万美元,高于之前预期的2.5万美元。相比之下,目前3nm晶圆的价格大概在1.85万至2万美元,而4/5nm晶圆的价格在1.5到1.6万美元之间。

美国制裁下,中国大陆购买芯片制造设备增长62%

数据显示,今年第二季度,中国大陆仍是全球最大、增长最快的半导体制造设备市场,因为在美国制裁之下,我们正努力实现技术自给自足。图为2024 年 5 月,中国淮安一家光电科技公司加工芯片的车间。中国大陆正在坚定地加大对芯片制造设备的支出。全球芯片行业协会国际半导体产业协会(SEMI)9月5日公布的数据显示,今年第二季度,芯片制造设备(包括晶圆加工、组装、封装和测试工具)在中国大陆的销售额同比增长 62%,达到 120 多亿美元。数据还显示,2024 年上半年,中国大陆在采购芯片制造设备上花费了 247.3 亿美元,超过了同期中国台湾、韩国、北美和日本的总支出 236.8 亿美元。其中美国占了北美支出的大部分。2022 年 10 月美国出台更严格芯片出口管制的结果之一,是推动了中国企业对芯片制造设备的购买。美国著名财经网站CNBC说,这笔巨额投入体现了中国政府为实现芯片自给自足而做出的努力,以对冲西方阵营可能进…